Infineon AUIRF3004WL
N-канальный40 V240A (Tc)4 В @ 250 мкА375 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRF3004WL
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® SeriesAdvanced Process Technology
Ultra-Low On-Resistance
50% Lower Lead Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
Applications
Brushed Motor Drive
Brushless Motor Drive
metal gearmotors
plastic gearmotors
automotive (particularly electric vehicles (EV))
HVAC
white goods and industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF1010EZ
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRF2807
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRF2804S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF1324S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
AUIRF1324WL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3
AUIRF1324S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
AUIRF2804S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF2807
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 240A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,4 мОм при 195 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 210 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 9450 пФ @ 32 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-262-3 Широкий
Упаковка / Кейс: TO-262-3 Широкие выводы
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO