Infineon AUIRF1010EZ
N-канальный60 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА140 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьAUIRF1010EZ
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
₽18.19
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
75A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.5mOhm @ 51A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
86 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2810 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8,5 мОм @ 51 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 86 нК при 10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2810 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220AB
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK