Infineon IRF7341TRPBF
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)55V4.7A50 мОм @ 4,7 А, 10 В1 В @ 250 мкА
СравнитьIRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
₽7.76
Обновление цены：2025-04-21Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
• Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Lead (Pb)-free
Features
HEXFET® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
55V Drain to Source Voltage (Vdss)
4.7A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50mOhm @ 4.7A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
36nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
740pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.7A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм @ 4,7 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 36nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 740 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC