Infineon AUIRF1324WL
N-канальный24 V240A (Tc)4 В @ 250 мкА300 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьAUIRF1324WL
MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3
₽344.81
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® SeriesThis AUIRF1324WL designed for automotive applications has the advantages of a lead resistance reduction of more than 50% and a RDS (on) reduction of more than 20% compared with traditional TO-262 packages with the same silicon chip. To a large extent, this helps to reduce conditional loss, achieve higher current levels, or make the system run colder and improve efficiency. Other features of the design include a 175 °C junction operating temperature, fast switching speed and an improved repeated avalanche rating. Together, these functions make this design an extremely efficient and reliable device used in automobiles and other applications.
Applications
AUIRF1324WL Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
50% Lower Lead Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified
AUIRF1324WL Applications
Battery Switch
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 24 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 240A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,3 мОм при 195 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 180 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7630 пФ при 19 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-262-3 Широкий
Упаковка / Кейс: TO-262-3 Широкие выводы
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB