ST STB46NF30
N-канальный300 V42A (Tc)4 В @ 250 мкА300 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB46NF30
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
₽270.68
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These Power MOSFETs have been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the devices suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
Features
STripFET™ II SeriesExceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
Applications
Switching applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB42N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STB40NS15T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
STB34NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STB40NF20
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
STB35N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
STB45N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 42A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 75 мОм @ 17 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 90 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3200 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB