ST STN3NF06L
N-канальный60 V4A (Tc)2,8 В @ 250 мкА3,3 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
₽8.65
Обновление цены：2025-04-21Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features
STripFET™ II SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
4A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
100mOhm @ 1.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
9 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±16V Vgs (Max)
340 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.3W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 100 мОм @ 1,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,8 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 9 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 340 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,3 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP