ST STN3N45K3
N-канальный450 V600 мА (Тс)4,5 В @ 50 мкА3 Вт (Ta)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTN3N45K3
MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
₽18.32
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This SuperMESH3 Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.
Features
SuperMESH3™ SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
450 V Drain to Source Voltage (Vdss)
600mA (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4Ohm @ 600mA, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5V @ 50µA Vgs(th) (Max) @ Id
9.5 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
164 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3W (Ta) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH3™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 450 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 600 мА (Тс)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4 Ом @ 600 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 50 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 9,5 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 164 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт (Ta)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3