ST STB35N65M5
N-канальный650 V27A (Tc)5 В @ 250 мкА160 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
₽635.00
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These devices are N-channel MDmesh V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Features
MDmesh™ V SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
650 V Drain to Source Voltage (Vdss)
27A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
98mOhm @ 13.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
83 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±25V Vgs (Max)
3750 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
160W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB28NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STB31N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
STB34NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STB30NF20L
STMicroelectronics
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
STB34N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
STB30N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ V
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 27A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 98 мОм @ 13,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 83 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3750 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 160 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB