ST STB30NF20L
N-канальный200 V30A (Tc)3 В @ 250 мкА150 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
₽273.12
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
200 V Drain to Source Voltage (Vdss)
30A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
75mOhm @ 15A, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
65 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1990 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB30NF20
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
STB28NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STB25NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STB26NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STB24N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STB30N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 30A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 75 мОм @ 15 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 65 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1990 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223