Свяжитесь с нами
pусский
STB40NS15T4

ST STB40NS15T4

N-канальный150 V40A (Tc)4 В @ 250 мкА300 Вт (Тс)-65°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
STMicroelectronics
STB40NS15T4
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
STB40NS15T4 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽512.10

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STB40NF20 is MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK, that includes N-channel STripFET Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.139332 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-252-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 160 W of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 22 ns, and the Rise Time is 44 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 40 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 200 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 45 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 74 ns, and Typical Turn On Delay Time is 20 ns, and the Forward Transconductance Min is 30 S, and Channel Mode is Enhancement.

STB40NK60Z with EDA / CAD Models manufactured by ST. The STB40NK60Z is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.

Features

MESH OVERLAY™ Series


  • Low gate charge

  • MESH OVERLAY? process

  • Exceptional dv/dt capability

  • Extremely low intrinsic capacitances

  • Supplied in the D2PAK package



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Switching application


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MESH OVERLAY™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 40A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 52 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 110 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2420 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт (Тс)
Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.