ST STF21N90K5
N-канальный900 V18,5A (Tc)5 В @ 100 мкА40 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTF21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
₽160.44
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Features
SuperMESH5™ SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
900 V Drain to Source Voltage (Vdss)
18.5A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
299mOhm @ 9A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
43 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
1645 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Applications
100% avalanche tested
TO-220 worldwide best RDS(on)
Zener-protected
Ultra low gate charge
Worldwide best FOM
STF21N90K5 Applications
Switching applications
PFC
server/telecom power
FPD TV power
ATX power
Industrial power
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: SuperMESH5™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 900 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 18,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 299 мОм @ 9А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 43 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1645 пФ @ 100 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB