Infineon IPD65R190C7ATMA1
N-канальный650 V13A (Tc)4 В @ 290 мкА72 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
₽128.37
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Features
CoolMOS™ C7 SeriesReduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge
Space-saving through reduction of parts
Improved safety margin
Lowest conduction losses
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Applications
Telecom
Server
Solar
PC power
Communications & Networking
Computers & Computer Peripherals
Alternative Energy
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMA86151L
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
FCP130N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
IXHH40N150HV
IXYS
SCR 1.5KV 40A TO247HV
FDMA86251
onsemi
MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
FDMD86100
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
FDMD86100
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCP130N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ C7
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 190 мОм @ 5,7 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 290 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 23 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1150 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 72 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO252-3
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23