Infineon IPB80N06S2L07ATMA3
N-канальный55 V80A (Tc)2 В @ 150 мкА210 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьIPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
₽324.94
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
N-channel - Enhancement modeAutomotive AEC Q101 qualifiedMSL1 up to 260°C peak reflow175°C operating temperatureGreen package (lead free)Ultra low Rds(on)
Features
OptiMOS™ Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 450 mJ
a continuous drain current (ID) of 80A
based on its rated peak drain current 320A.
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA3 applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6,7 мОм при 60 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 150 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 130 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3160 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 210 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO263-3-2
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23