Infineon AUIRFR6215
P-канал150 V13A (Tc)4 В @ 250 мкА110 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRFR6215
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
₽206.86
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® SeriesDynamic dv/dt rating
175??C operating temperature
Fast switching
Fully avalanche rated
Available in the D-Pak package
Applications
Automotive applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRFR2905Z
International Rectifier
AUIRFR2905Z - 55V-60V N-CHANNEL
AUIRFR120Z
Infineon Technologies
PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM,
AUIRFR3710ZTRL
International Rectifier
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRFR4620TRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
AUIRFR5305TRL
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
AUIRFR4620TRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
AUIRFR3710ZTRL
International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
AUIRFR2905Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRFR120Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
AUIRFR5410
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 295 мОм @ 6,6 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 66 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 860 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO