ST STW21NM60ND
N-канальный600 V17A (Tc)5 В @ 250 мкА140 Вт (Тс)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSTW21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
₽63.71
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices■ 100% avalanche tested■ Low input capacitance and gate charge■ Low gate input resistance■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Features
FDmesh™ II SeriesLow input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Intrinsic fast-recovery body diode
Worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Applications
Switching Applications
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Small Motor Control
Switch Mode Power Supplies (SMPS)
Power-Over-Ethernet (PoE)
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: FDmesh™ II
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 220 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 60 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1800 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247