ST STB80NE03L-06T4
N-канальный30 V80A (Tc)2,5 В @ 250 мкА150 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB80NE03L-06T4
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
₽50.06
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
STB80N4F6AG with pin details manufactured by ST. is part of the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, , and with support for "MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263), Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R, MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package.
The STB80NE03L is MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK manufactured by ST. The STB80NE03L is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the IC Chips, , and with support for MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
Features
STripFET™ Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 600 mJ
a continuous drain current (ID) of 80A
a drain-to-source breakdown voltage of 30V voltage
based on its rated peak drain current 320A.
D2PAK Supplier Device Package
Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STB80NE03L-06T4 applications of single MOSFETs transistors.
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: STripFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6 мОм @ 40 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 130 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6500 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223