ST STB23NM50N
N-канальный500 V17A (Tc)4 В @ 250 мкА125 Вт (Тс)150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTB23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
₽158.73
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These devices are made using the second generation of MDmeshtechnology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
MDmesh™ II SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
500 V Drain to Source Voltage (Vdss)
17A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
190mOhm @ 8.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
45 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±25V Vgs (Max)
1330 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Applications
Extremely low RDS(on)
Low gate charge and input resistance
Excellent switching performance
100% avalanche tested
STB23NM50N Applications
High Side Driver
Switching power supplies
Low Side Driver
Power switches
Reverser Battery protection
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STB21NM50N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
STB21NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STB21NK50Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
STB22NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB21N90K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
STB21NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: MDmesh™ II
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 190 мОм @ 8,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 45 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1330 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт (Тс)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223