ON NTD20N03L27T4G
N-канальный30 V20A (Ta)2 В @ 250 мкА1,75 Вт (Ta), 74 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
₽44.60
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the "best of design" available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery.
Features
Tape & Reel (TR) PackageUltra-Low RDS(on), Single Base, Advanced Technology
SPICE Parameters Available
The diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
High Avalanche Energy Specified
ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0
RoHS Compliant
Applications
Power Supplies
Inductive Loads
PWM Motor Controls
Replaces MTD20N03L in many Applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 20A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 27 мОм @ 10 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18,9 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1260 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,75 Вт (Ta), 74 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET