
ON NDD02N60ZT4G
N-канальный600 V2,2A (Tc)4,5 В @ 50 мкА57 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
Сравнить






₽10.81
Обновление цены:несколько месяцев назадГарантия качества Bostock







Overview
NDD02N40-1G with pin details, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as IPAK-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 39 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 4 ns, and Rise Time is 7 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and Id Continuous Drain Current is 1.7 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 400 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 1.6 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 4.5 Ohms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 14 ns, and Typical Turn On Delay Time is 5 ns, and the Qg Gate Charge is 5.5 nC, and Forward Transconductance Min is 1.1 S.
NDD02N40T4G with circuit diagram, that includes 400 mA Id Continuous Drain Current, they are designed to operate with a SMD/SMT Mounting Style, Number of Channels is shown on datasheet note for use in a 1 Channel, that offers Package Case features such as TO-252-3, Packaging is designed to work in Reel, as well as the 5.5 Ohms Rds On Drain Source Resistance, the device can also be used as Si Technology. In addition, the Transistor Polarity is N-Channel, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 0.139332 oz of Unit Weight, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 400 V.
Features
Tape & Reel (TR) PackageLow on-state resistance
Low gate charge
100% avalanche rated
ESD diode?protected gate
Available in the TO-220FP package
Applications
High-speed power switching
Uninterruptible power supplies
Synchronous rectification
- Стоимость фрахта начинается с $40, но цены в некоторых странах, таких как ЮжнаяАфрика, Бразилия, Индия, Пакистан и Израиль, могут отличаться.
- Основные расходы на перевозку посылок весом 0,5 кг или эквивалентного объема зависят от часовых поясов и страны.
- В настоящее время наша продукция поставляется с использованием DHL, SF и UPS. Для меньшего числа авиакомпаний FedEx является предпочтительным вариантом.
- После отгрузки предполагаемое время доставки зависит от выбранного метода перевозки.
Подготовить продукт

вакуумная упаковка

антистатический пакет

индивидуальная упаковка

упаковочная коробка

штрихкод этикетка для доставки


NDC632P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6

NDC651N
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.2A SUPERSOT6

NDB603AL
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK

NDB7060
onsemi
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

NDB603AL
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK

NDC632P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6

NDB6030L
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Популярные номера деталей
MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽6.88В наличии :928006MBR0530T1G
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
₽1.99В наличии :1693313MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.10В наличии :523364MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.09В наличии :1242062MURS260T3G
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
₽7.53В наличии :827108
MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽201.05В наличии :27340MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽0.97В наличии :1493270SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.41В наличии :148450NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.37В наличии :191760S310FA
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
₽27.88В наличии :99806
MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽6.88В наличии :928006MBR0530T1G
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
₽1.99В наличии :1693313MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.10В наличии :523364MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.09В наличии :1242062MURS260T3G
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
₽7.53В наличии :827108
MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽201.05В наличии :27340MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽0.97В наличии :1493270SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.41В наличии :148450NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.37В наличии :191760S310FA
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
₽27.88В наличии :99806
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET