ON FDV303N
N-канальный25 V680 мА (Ta)1,5 В @ 250 мкА350 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
₽1.60
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 680 mA
a drain-to-source breakdown voltage of 25 V voltage
single MOSFETs transistor is 450 mΩ
a 25 V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Rochester Electronics
FDV303N applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 680 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,7 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 450 мОм @ 500 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,3 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 50 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 350 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA