ON FDS6630A
N-канальный30 V6,5A (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS6630A
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
₽5.12
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
PowerTrench® Series6.5 A, 30 V
RDS(on) = 0.038 Ω@ VGS = 10 V
RDS(on) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V
Low gate charge (5nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
DC/DC Converters
Load Switch
Motor Drives
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS6576
onsemi
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
FDS6064N3
onsemi
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS6299S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
FDS6572A
onsemi
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
FDS6574A
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS6574A
onsemi
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
FDS6064N3
onsemi
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS6572A
onsemi
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
FDS6299S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 38 мОм @ 6,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 460 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3