ON FDP8N50NZ
N-канальный500 V8A (Tc)5 В @ 250 мкА130 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP8N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
₽41.88
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFETTM II MOSFET is a high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ Series?770 mQ (Typ.) RDS(on) at VGS
? Minimal Gate Fee (Typ. 14 nC)
?Small Crss (Typ. 5 pF)
?Avalanche tested in full
?Increase the dv/dt capability
Improved ESD Capability
Applications
?LCD or LED TV
?Lighting
?A backup power supply
?Power Supply, AC-DC
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDP8878
onsemi
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
FDP8440
onsemi
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
FDP80N06
onsemi
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FDP8896
onsemi
MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
FDP8874
onsemi
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
FDP8880
onsemi
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
FDP8880
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDP8440
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 850 мОм @ 4A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 18 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±25V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 735 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 130 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6