ON FDMS7650DC
N-канальный30 V47A (Ta), 100A (Tc)2,7 В @ 250 мкА3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS7650DC
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
₽331.11
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge and extremely low rDS(on).
Features
Dual Cool™, PowerTrench® SeriesHigh performance technology for extremely low RDs(on)
RoHS Compliant
Dual CooTM Top Side Cooling PQFN package
Max RDs(on)= 0.99 mQat VGs= 10V,lo=36A
Max RDs(on)= 1.55 moat VGs=4.5V,lp= 32 A
Applications
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
Telecom Secondary Side Retification
High-End Server/Workstation
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS3686S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDMS7650
onsemi
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
FDMS5672
onsemi
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
FDMS7620S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
FDMS7608S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
FDMS7602S
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
FDMS7608S
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
FDMS7620S
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 0,99 мОм при 36 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,7 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 206 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 14765 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET