ON FDMC7678
N-канальный30 V17,5A (Ta), 19,5A (Tc)3 В @ 250 мкА2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMC7678
MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
₽18.74
Обновление цены：2025-04-27Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Features
PowerTrench® SeriesUse with or without a heat sink reduces the number of qualified components in the BOM
Multiple suppliers without cross-licensing requirements
High degree of production commonality with standard PQFN packaging
25 V - 150 V portfolio
Top-side cooling, lower thermal resistance from junction to top
Same land pattern as 5 mm x 6 mm and 3.3 mm x 3.3 mm PQFN – JEDEC standard
Allows higher current and power dissipation
Highest power density for DC-DC applications
Applications
Telecommunications, routing and switching
Heat path from top only
Point-of-load (POL) synchronous-buck conversion
Servers
DC-DC Buck Converters
Notebook battery power management
Load switch in Notebook
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17,5A (Ta), 19,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5,3 мОм @ 17,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 39 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2410 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP