ON FDH44N50
N-канальный500 V44A (Tc)4 В @ 250 мкА750 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDH44N50
MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
₽438.52
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
Tube Package
Improved Gate, avalanche and high reapplied dv/dt ruggedness
Low gate charge Qg results in simple drive requirement
Reduced RDS(on)
Improved switching speed with low EMI
Reduced Miller capacitance and low Input capacitance
Through Hole Mounting Type
Applications
FDH44N50 Applications
Power factor correction
Electronic lamp ballasts
Flat panel display
TV power
ATX
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDH210N08
onsemi
MOSFET N-CH 75V TO247-3
FDG6335N
onsemi
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
FDG6335N
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
FDG6332C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
FDG8850NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
FDH300TR
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
FDH300A
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
FDH210N08
onsemi
MOSFET N-CH 75V TO247-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 44A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 22 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 108 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5335 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 750 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET