ON FDC6321C
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы25V680 мА, 460 мА450 мОм @ 500 мА, 4,5 В1,5 В @ 250 мкА
СравнитьFDC6321C
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
₽8.20
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this dual digital FET can replace several digital transistors with different bias resistors.
Features
Tape & Reel (TR) Package? N?Channel 0.68 A, 25 V
RDS(ON) = 0.45 @ VGS = 4.5 V
? P?Channel ?0.46 A, ?25 V
RDS(ON) = 1.1 @ VGS = ?4.5 V
? Very Low Level Gate Drive Requirements Allowing Direct
Operation in 3 V Circuits. VGS(th) < 1.0 V.
? Gate?Source Zener for ESD Ruggedness. >6 kV Human Body Model
? Replace Multiple Dual NPN & PNP Digital Transistors
? This is a Pb?Free Device
Surface Mount Mounting Type
Applications
low voltage applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 680 мА, 460 мА
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 450 мОм @ 500 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2,3 нК @ 5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 50пФ @ 10В
Максимальная мощность: 700 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN