ON FDB14N30TM
N-канальный300 V14A (Tc)5 В @ 250 мкА140 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
₽967.16
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ Series100% avalanche tested
RoHS compliant
RDS(on) = 290mΩ ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 7A
Low gate charge ( Typ. 18nC)
Low Crss ( Typ. 17pF)
Applications
Lighting
Uninterruptible Power Supply
AC-DC Power Supply
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB075N15A
onsemi
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FDB110N15A
onsemi
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
FDB075N15A-F085
onsemi
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
FDB13AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
FDB050AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
FDB088N08
onsemi
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
FDB110N15A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDB13AN06A0
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 300 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 14A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 290 мОм @ 7А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1060 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 140 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23